Видео-демонстрация основных возможностей vmCompLith
part_1 of 07-31-2021 04_46_16 PM.mp41. Начало работы. Загрузка маски, моделирвание, изменение и визуализация контуров постоянной интенсивности (threshold)
part_2 of 07-31-2021 04_54_36 PM.mp42. Параметры модели (характеристики степпера, источника освещения, прозрачность маски). Изменение параметров, влияние на изображение маски.
part_3 of 07-31-2021 04_56_36 PM.mp43. Анализ изображения: одномерные сечения двумерной функции (интенсиности) вдоль заданных отрезков на маске (cutlines).
part_4 of 07-31-2021 05_02_21 PM.mp44. Анализ изображения: гистограмма отклонений контуров постоянной интенсиности (threshold) от маски (от рёбер полигонов), среднеквадратическое отклонение и т.п.. При выборе элемента гистограммы (click) соответствующие отклонения подсвечиваются на изображении маски в главном окне (back-annotation)
part_5 of 07-31-2021 05_50_37 PM.mp45. Оптимизация маски (OPC). Выбор параметров, старт итераций моделирование-коррекция. Автоматическое обновление изображения маски и гистограммы отклонений контуров после каждой итерации.
Немного истории
Мне повезло: с 1987 года и до выхода на пенсию я занимался одним, увлекательным и интересным для меня делом - моделированием технологии литографии. В 2008 году для проверки некоторых идей мной была разработана оригинальная программа-симулятор оптической литографии. Основными задачами были: оптимизация производиткльности алгоритма и точности вычислений. Также рассматривалась проблема моделирования элементов масок произвольной формы (all-angle mask). Ещё были рассмотрены различные способы анализа изображения маски и числовые характеристики качества изображения. Эта работа, а также обобщение накопленных данных и результатов моделирования, были представлены на конференции SPIE по Оптической Микролитографии в 2009 году. / Manuylov, Vadim. Advanced Model and Fast Algorithm for Aerial Image Computation with Well Controlled Accuracy. Proceedings of the SPIE, Volume 7274, p. 727431(2009) /
Затем симулятор был расширен возможностями оптимизации маски (OPC - optical proximity correction) и снабжён графическим интерфейсом. Я успешно использовал его на собеседованиях в Luminiscent, Global Foundries, Cadence, Mentor Graphics и Brion-ASML. Презентация симулятора делала интервью более интересным - переводила в режим дискуссии.
Недавно я нашел мой симулятор в своих архивах и решил восстановить / обновить и сделать его доступным для тех, кому он интересен. Исходный код vmCompLith можно скачать (ссылки ниже). Для сборки необходмы Qt 5.12 или Qt 6.2 и С++.
Конечно, современная технология на основе EUV намного сложнее, новые инструменты моделирования позводяют изучать гораздо более тонкие эффекты... Однако, возможно, vmCompLith будет полезен для обучения и/или, чтобы проиллюстрировать основные эффекты, проблемы и подходы в литографии и т. д.
Версия от 14 августа 2021
Исправления / изменения:
перемещение (с помощью мышки) области моделирования: Alt + left-mouse-button
сохранение маски (набор полигонов) и её изображения (2-мерное распределение интенсивности света) в текстовые файлы: меню File->Save layout... и File->Save image as text...
косметические изменения
zip-архив включает исходный код (папка vmCompLith) и 2 cif-файла с тестовыми масками. Описание основных средств контроля/управления готовым приложением найдёте в меню Help->How to...
Исходный код
Примеры
Моделирование изображения маски. Параметры и анализ качества изображения.
Отклонение контура изображения от маски.
Моделирование изображения и коррекция/оптимизация маски (Optical Proximity Correction).
Анализ качества изображения.
Пример 1D распределения интенсивности (сечение изображения).